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FMUSER 1 pièces Original nouveau MRF6VP3450H Transistor MOSFET de puissance RF large bande N-canal latéral
FMUSER 1pcs Original New MRF6VP3450H Transistor MOSFET de puissance RF large bande à canal N latéral Description: Conçu pour les applications commerciales et industrielles à large bande avec des fréquences de 470 à 860 MHz. Le gain élevé et les performances à large bande de ces appareils les rendent idéaux pour les applications d'amplification de source commune à grand signal dans un équipement émetteur de télévision analogique ou numérique de 50 volts. --Typique DVB - T OFDM Performance: --VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watts Moy., F = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM --Power Gain : 22.5 dB - Efficacité de la vidange : 28% --ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Bande passante - Performance à deux tons large bande typique: --VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, --Po
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
Conçu pour les applications commerciales et industrielles à large bande avec des fréquences de 470 à 860 MHz. Le gain élevé et Les performances à large bande de ces appareils les rendent idéaux pour les applications d'amplification de source commune à grand signal en 50 volts équipement émetteur de télévision analogique ou numérique.
--Performances DVB-T OFDM typiques:
--VDD = 50 volts, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watts Moy, f = 860 MHz, Mode 8K, 64 QAM
--Gain de puissance : 22.5 dB
--Efficacité de vidange : 28%
--Décalage ACPR à 4 MHz —— Bande passante de 62 dBc à 4 kHz
--Performances typiques du haut débit à deux tons:
--VDD = 50 volts, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 watts PEP, f = 470-860 MHz
--Gain de puissance : 22 dB
--Efficacité de vidange : 44%
--IM3 : -29 dBc
--Capable de gérer 10: 1 VSWR, tous les angles de phase, à 50 Vdc, 860 MHz: 450 watts CW
--90 watts en moyenne (Signal DVB - T OFDM, PAR 10 dB, bande passante de canal 7.61 MHz)
--Caractérisé avec des paramètres d'impédance de signal de grande taille équivalents en série
--Entrée adaptée en interne pour une facilité d'utilisation
--Qualifié jusqu'à un maximum d'opération 50 VDD
--Protection ESD intégrée
--Conçu pour l'opération push-pull
--Porte négative supérieure - Plage de tension source pour un fonctionnement de classe C amélioré
--Conforme RoHS--En bande et bobine. Suffixe R6 = Unités 150 par bobine 56, mm 13.
--Suffixe R5 = Unités 50 par bobine 56, mm 13.
Le forfait comprend:
1 * transistor MRF6VP3450H
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
215 | 1 | 0 | 215 | DHL |