Transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde de métal à radiofréquence MRF154 d'origine FUMSER

FUMSER Original MRF154 Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à radiofréquence Description: --Catégorie de produit: Transistor à effet de champ à semi-conducteur RF à oxyde métallique (RF MOSFET) - Polarité du transistor: Canal N - Technologie: Si - Courant de drain Id-continu: 60 A - Tension de claquage Vds-Drain-source: 125 V --Gain: 17 dB --Puissance de sortie: 600 W --Température de fonctionnement minimum: -65 C --Température de fonctionnement maximum: + 150 C --Package / Box : 368-3 --Configuration: Unique --Fréquence de fonctionnement: 80 MHz --Type: MOSFET de puissance RF --Marque: MACOM --Dissipation de puissance PD: 1.35 kW --Type de produit: Transistors MOSFET RF --Quantité d'emballage en usine : 1 --Sous-catégorie: MOSFETs --Vgs-gate-source tension: 40 V --Vgs th- gat