FMUSER 1 pièces Original nouveau MRF317 RF TRANSISTOR, TRANSISTOR DE PUISSANCE RF LARGE BANDE-RF Transistor-FMUSER diffusion FM / TV fournisseur unique

FMUSER 1pcs Nouveau TRANSISTOR RF MRF317 original, TRANSISTOR DE PUISSANCE RF LARGE BANDE Description: Conçu principalement pour les étages d'amplificateur de sortie à large bande dans la gamme de fréquences 30 MHz. Performances garanties à 200 MHz, 150 Vdc Puissance de sortie 28 W Gain minimum = 100 dB Réseau de correspondance intégré pour un fonctionnement à large bande 9.0% testé pour la non-correspondance de charge à tous les angles de phase avec 100: 30 VSWR Gold Metallization System pour une fiabilité élevée Puissance de saturation de sortie élevée parfaitement adaptée pour le support / 1 W Peak AM Amplificateur Service Performances garanties dans le dispositif de test large bande NOMINATIONS MAXIMALES Notation Collecteur Émetteur Tension Collecteur Tension de base Emetteur Tension de base Collecteur Courant Continu Collecteur Pic de courant (120 secondes

Détails

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FMUSER 1 pièces Original nouveau MRF317 RF TRANSISTOR, TRANSISTOR DE PUISSANCE RF LARGE BANDE

Description:
Conçu principalement pour les étages d'amplification de sortie à large bande et à grand signal dans la gamme de fréquences 30 MHz Performances garanties à 200 MHz, 150 Vdc Puissance de sortie 28 W Gain minimum = 100 dB Réseau de correspondance intégré pour un fonctionnement à large bande Testé à 9.0% pour la non-correspondance de charge à tous les angles de phase avec un système de métallisation à l'or 100: 30 VSWR pour une fiabilité élevée Puissance de saturation de sortie élevée parfaitement adaptée pour Carrier / 1 W Peak AM Amplificateur Service Performances garanties dans un appareil de test large bande NOMINATIONS MAXIMALES
Valeur nominale CollecteurEmetteur Tension CollecteurBase Tension EmitterBase Tension Collecteur Courant Continu Collecteur Courant Pic (10 secondes) Dissipation totale de l'appareil 25 ° C (1) Déclassement supérieur à 25 ° C Plage de température de stockage Symbole VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Valeur à +150 Unité Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Résistance thermique caractéristique, symbole de jonction au boîtier RJC Max 0.65 Unité ° C / W

Caractéristiques:
●Attribut du produit Valeur d'attribut Recherche similaire
●Fabricant: FMUSER
●Catégorie de produits: Transistors bipolaires RF
● Marque: FMUSER
●Type de produit: Transistors bipolaires RF

●Sous-catégorie: Transistors

Caractéristiques:
●CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES: (TC = 25 ° C sauf indication contraire.)
●Gain de puissance de l'amplificateur CommonEmitter: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Efficacité du capteur: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Inadéquation de la charge (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 tous les angles de phase)
●GPE Aucune dégradation de la puissance de sortie dB%