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Le transistor à effet de champ de puissance RF large bande à effet de champ de MOS à canal N de MOSFET HF / VHF / UHF d'origine SD2941-10 de FMUSER
Le SD2941-10 original de FMUSER MOSFETs HF / VHF / UHF à effet de champ MOS canal N Transistor à effet de champ de puissance RF à large bande Description Le SD2941-10 est un transistor de puissance RF à effet de champ MOS à canal N métallisé or, destiné à être utilisé dans 28 V à 50 V c.c. Applications à grand signal jusqu'à 230 MHz. Il offre un RDS (on) 25% inférieur à la norme de l'industrie, avec un PSAT 20% plus élevé que le périphérique SD2931-10 de ST. Le SD2941-10 est logé dans le boîtier sans piédestal M174 à faible température thermique, offrant une résistance thermique 25% inférieure à la norme de l'industrie, ce qui en fait le transistor «meilleur de sa catégorie» pour les applications ISM, où la fiabilité et la robustesse sont des facteurs critiques . Specifica
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
79 | 1 | 0 | 79 | Airmail |
Description
Le SD2941-10 est un canal N métallisé or Transistor de puissance RF à effet de champ MOS, destiné à utilisation dans les applications à signal large de 28 V à 50 V cc à 230 MHz. Il offre un RDS (on) inférieur de 25% à celui du standard de l'industrie, avec un PSAT 20% plus élevé que Appareil SD2931-10 de ST. Le SD2941-10 est logé dans le non-piédestal thermique M174 paquet, offrant une résistance thermique inférieure de 25% que la norme de l'industrie, ce qui en fait le transistor "best-in-class" pour les applications ISM, où la fiabilité et la robustesse sont essentielles facteur.
Spécifications
● Catégorie de produit: Transistors MOSFET RF
● Polarité du transistor: canal N
● Id - Courant de drainage continu: 20 A
● Vds - Tension de claquage drain-source: 130 V
● Gain: 15.8 dB
● Puissance de sortie: 175 W
● Température de fonctionnement minimale: - 65 C
● Température de fonctionnement maximale: + 150 C
● Style de montage: SMD / SMT
● Paquet / étui: M174
● Emballage: en vrac
● Configuration: simple
● Hauteur: 7.11 mm
● Longueur: 24.89 mm
● Fréquence de fonctionnement: 230 MHz
● Série: SD2941
● Type: MOSFET de puissance RF
● Largeur: 12.83 mm
● Transconductance directe - Min: 6 S
● Mode canal: amélioration
● Pd - Dissipation de puissance: 389 W
● Type de produit: Transistors MOSFET RF
● Quantité en paquet d'usine: 25
● Sous-catégorie: MOSFET
● Vgs - Tension grille-source: 20 V
Fonctionnalités:
● Métallisation d'or
● Excellente stabilité thermique
● Configuration source commune
● POUT = 175 W min. avec un gain de 15 dB à 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W typ. avec un gain de 14 dB à 123 MHz,
28 V
● RDS faible (activé)
● Emballage thermiquement amélioré pour moins
● températures de jonction
● Conformément à la directive européenne 2002/95 / CE1
directive
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
79 | 1 | 0 | 79 | Airmail |