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Le transistor à effet de champ de puissance RF large bande à effet de champ de MOS à canal N de MOSFET HF / VHF / UHF d'origine SD2941-10 de FMUSER

Le SD2941-10 original de FMUSER MOSFETs HF / VHF / UHF à effet de champ MOS canal N Transistor à effet de champ de puissance RF à large bande Description Le SD2941-10 est un transistor de puissance RF à effet de champ MOS à canal N métallisé or, destiné à être utilisé dans 28 V à 50 V c.c. Applications à grand signal jusqu'à 230 MHz. Il offre un RDS (on) 25% inférieur à la norme de l'industrie, avec un PSAT 20% plus élevé que le périphérique SD2931-10 de ST. Le SD2941-10 est logé dans le boîtier sans piédestal M174 à faible température thermique, offrant une résistance thermique 25% inférieure à la norme de l'industrie, ce qui en fait le transistor «meilleur de sa catégorie» pour les applications ISM, où la fiabilité et la robustesse sont des facteurs critiques . Specifica

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
79 1 0 79 Airmail

 


L'original FMUSER SD2941-10 MOSFET HF / VHF / UHF canal N Effet de champ MOS Fibre Effet de champ de puissance RF Transistor

Description
Le SD2941-10 est un canal N métallisé or Transistor de puissance RF à effet de champ MOS, destiné à utilisation dans les applications à signal large de 28 V à 50 V cc à 230 MHz. Il offre un RDS (on) inférieur de 25% à celui du standard de l'industrie, avec un PSAT 20% plus élevé que Appareil SD2931-10 de ST. Le SD2941-10 est logé dans le non-piédestal thermique M174 paquet, offrant une résistance thermique inférieure de 25% que la norme de l'industrie, ce qui en fait le transistor "best-in-class" pour les applications ISM, où la fiabilité et la robustesse sont essentielles facteur.


Spécifications

 Catégorie de produit: Transistors MOSFET RF
 Polarité du transistor: canal N
 Id - Courant de drainage continu: 20 A
 Vds - Tension de claquage drain-source: 130 V
 Gain: 15.8 dB
 Puissance de sortie: 175 W
 Température de fonctionnement minimale: - 65 C
 Température de fonctionnement maximale: + 150 C
 Style de montage: SMD / SMT
 Paquet / étui: M174
 Emballage: en vrac
 Configuration: simple
 Hauteur: 7.11 mm
 Longueur: 24.89 mm
 Fréquence de fonctionnement: 230 MHz
 Série: SD2941
 Type: MOSFET de puissance RF
 Largeur: 12.83 mm
 Transconductance directe - Min: 6 S
 Mode canal: amélioration
 Pd - Dissipation de puissance: 389 W
 Type de produit: Transistors MOSFET RF
 Quantité en paquet d'usine: 25
 Sous-catégorie: MOSFET
 Vgs - Tension grille-source: 20 V


Fonctionnalités:
 Métallisation d'or
 Excellente stabilité thermique
 Configuration source commune
 POUT = 175 W min. avec un gain de 15 dB à 175
MHz, 50 V
 POUT = 135 W typ. avec un gain de 14 dB à 123 MHz,
28 V
 RDS faible (activé)
 Emballage thermiquement amélioré pour moins
 températures de jonction
 Conformément à la directive européenne 2002/95 / CE1
directive


 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
79 1 0 79 Airmail

 

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