Le tube haute fréquence FMUSER Original MRF151 à 59

Vue d’ensemble

Les appareils de la série MRF sont des transistors RF bipolaires hautes performances de 1 MHz à 3.5 GHz. Ces transistors bipolaires Tech sont idéaux pour l'avionique, les communications, les radars et les applications industrielles, scientifiques et médicales. Les appareils de la série MRF font partie d'une large gamme de transistors de puissance RF qui comprend également des amplificateurs de palette, des transistors TMOS et DMOS et des transistors LDMOS.

● Performances garanties à 30 MHz, 50 V:
● Puissance de sortie - 150 W
● Gain - 18 dB (22 dB Typ)
● Efficacité - 40%
● Performances typiques à 175 MHz, 50 V:
● Puissance de sortie - 150 W
● Gain - 13 dB

● Faible résistance thermique
● Robustesse testée à la puissance de sortie nominale
● Matrice passivée au nitrure pour une fiabilité accrue

Description 

Transistors MOSFET RF 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande à des fréquences allant jusqu'à 175 MHz. La puissance élevée, le gain élevé et les performances à large bande de cet appareil permettent des émetteurs à semi-conducteurs pour les bandes de fréquences de diffusion FM ou de chaînes de télévision.

Spécification

● Catégorie de produits: Transistors MOSFET RF
● Polarité du transistor: N-Channel
● Id - Courant de drainage continu: A 16
● Vds - Tension de claquage drain-source: 125 V
● Gain: 13 dB
● Puissance de sortie: 150 W
● Température minimale de fonctionnement: - 65°C
● Température de fonctionnement maximale: + 150°C
● Style de montage: SMD / SMT
● Paquet / Cas: 221-11-3
● Paquet: Plateau
● Configuration: Simple
● Fréquence de fonctionnement: 175 MHz
● Pd - Dissipation de puissance: 300 W
● Type de produit: Transistors MOSFET RF
● Quantité de paquet d'usine: 20
● Sous-catégorie: MOSFETs
● Vgs - Tension Gate-Source: 40 V
● Vgs th - Tension de seuil de source de porte: 3 V