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FMUSER Original Nouveau MRFE6VP5600H RF Transistor de Puissance Transistor MOSFET de Puissance Pour 600 w FM Émetteur
FMUSER Original New MRFE6VP5600H Transistor MOSFET de puissance à transistor de puissance RF pour transmetteur FM 600w Vue d'ensemble: Ces appareils à haute robustesse, MRFE6VP5600HR6 et MRFE6VP5600HSR6, sont conçus pour une utilisation dans l'industrie à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), la diffusion (analogique et numérique), l'aérospatiale et applications mobiles radio / terrestres. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz. Caractéristiques: * Entrée et sortie inégalées permettant une large gamme de fréquences. * L'appareil peut être utilisé à une extrémité ou dans une configuration push-pull. * Qualifié jusqu'à un maximum de 50 opérations VDD. * Personnage
Détails
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
FMUSER Original Nouveau MRFE6VP5600H RF Transistor de Puissance Transistor MOSFET de Puissance Pour 600 w FM Émetteur
Aperçu :
Ces dispositifs à haute robustesse, MRFE6VP5600HR6 et MRFE6VP5600HSR6, sont conçus pour une utilisation dans les applications industrielles à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / terrestre mobile. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz.
Caractéristiques :
* Entrée et sortie inégalées permettant une large gamme de fréquences.
* Le périphérique peut être utilisé à une seule extrémité ou dans une configuration push-pull.
* Qualifié jusqu'à un Maximum de fonctionnement 50 VDD.
* Caractérisé de 30 V à 50 V pour une plage de puissance étendue.
* Convient pour une application linéaire avec un biais approprié.
* Protection ESD intégrée avec une plus grande plage de tension grille-source négative pour un fonctionnement amélioré de classe C.
* Caractérisé par des paramètres d'impédance de grand signal équivalents en série.
* Conforme RoHS.
* En bande et bobine. R6 Suffixe = Unités 150, Largeur de bande 56 mm, Bobine 13.
* Ces produits sont inclus dans notre programme de longévité des produits avec un approvisionnement assuré pour un minimum de 15 ans après le lancement.
Paramètres clés:
|
Fréquence (min) (MHz) |
1.8 |
|
Fréquence (max) (MHz) |
600 |
|
Tension d'alimentation (type) (V) |
50 |
|
P1dB (Typique) (dBm) |
57.8 |
|
P1dB (type) (W) |
600 |
|
Puissance de sortie (type) (W) au niveau d'intermodulation au signal de test |
600.0 @ CW |
|
Signal de test |
1 TON |
|
Gain de puissance (type) (dB) @ f (MHz) |
24.6 @ 230 |
|
Efficacité (type) (%) |
75.2 |
|
Résistance thermique (Spec) (℃ / W) |
0.12 |
|
Classe |
AB |
|
Des |
incomparable |
|
Technologie Die |
LDMOS |
Tableau des performances RF:
Bande étroite 230 MHz
Performance typique: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA
|
Type de signal |
Pout (W) |
f (MHz) |
GPS (dB) |
D (%) |
IRL (dB) |
|
Impulsion (100 µsec, rapport cyclique de 20%) |
600 Peak |
230 |
25.0 |
74.6 | - 18 |
| CW |
600 Moy. |
230 | 24.6 | 75.2 | - 17 |
Le forfait comprend:
1*Transistor de puissance RF MRFE6VP5600H
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
