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FMUSER Original Nouveau Transistor De Puissance SD2931-11 RF Gain De Puissance Élevée 20V Transistor MOSFET
FMUSER Nouveau transistor de puissance SD2931-11 RF original Transistor MOSFET à gain de puissance élevé 20V Description: Le SD2931-11 est un transistor de puissance RF à effet de champ MOS à canal N métallisé or. Étant électriquement identique au MOSFET SD2931 standard, il est destiné à être utilisé dans des applications de signal de 50 V cc jusqu'à 230 MHz. Le SD2931-11 est compatible mécaniquement avec le SD2931 mais offre en outre une meilleure capacité thermique (résistance thermique inférieure de 25%), ce qui représente les meilleurs transistors de leur catégorie pour les applications ISM, où la fiabilité et la robustesse sont des facteurs critiques. Caractéristiques: * Métallisation à l'or * Excellente stabilité thermique * Source commune
Détails
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSER Original Nouveau Transistor De Puissance SD2931-11 RF Gain De Puissance Élevée 20V Transistor MOSFET
Description:
Le SD2931-11 est un canal N métallisé or Transistor de puissance RF à effet de champ MOS. Étant électriquement identique au SD2931 standard MOSFET, il est destiné à être utilisé en 50 V dc large applications de signaux jusqu'à 230 MHz. Le SD2931-11 est mécaniquement compatible avec le SD2931 mais offre en plus une meilleure thermique capacité (résistance thermique 25% inférieure), représentant les meilleurs transistors de leur catégorie pour l'ISM applications, où la fiabilité et la robustesse sont facteurs critiques.
Caractéristiques :
* Métallisation d'or
* Excellente stabilité thermique
* Configuration source commune
* POUT = 150 W min. avec gain 14 dB @ 175MHz
* Emballage thermiquement amélioré pour moins
* températures de jonction
* Tri GFS et VGS marqué sur l'unité
Speciafication:
* Série: SD2931* Catégorie de produit: Transistors MOSFET RF
* Polarité du transistor: canal N
* Technologie: Si
* Id - Courant de drainage continu: 20 A
* Vds - Tension de claquage drain-source: 125 V
* Gain: 15 dB
* Puissance de sortie: 150 W
* Température de fonctionnement minimale: - 65 C
* Température de fonctionnement maximale: + 200 C
* Style de montage: montage à vis
* Emballage: Bulk
* Configuration: Single Dual Source
* Hauteur: 7.11 mm (Max)
* Longueur: 24.89 mm (Max)
* Fréquence de fonctionnement: 230 MHz
* Largeur: 12.83 mm (Max)
* Mode de canal: amélioration
* Pd - Dissipation de puissance: 389 W
* Vgs - Tension Gate-Source: 20 V
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
