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FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de puissance Transistor MOSFET de puissance N-Channel
FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W Transistor de puissance RF Transistor de puissance MOSFET Transistor N-Channel Caractéristiques: ● Numéro de pièce MRF173CQ ● Description FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Description détaillée RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Style 2 ● Fiches techniques MRF173CQ ● Informations environnementales Certificat RoHS ● Fiche technique HTML MRF173CQ Description: ● Emballage: Plateau ● État de la pièce: Actif ● Type de transistor: Canal N ● Fréquence: 150 MHz ● Gain: 13 dB ● Tension - Test: 28 V ● Courant nominal (ampères) : 9A ● Bruit Figure: 1.5dB ● Courant - Test: 50mA ● Puissance - Sortie: 80W ● Volta
Détails
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
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FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de puissance Transistor MOSFET de puissance N-Channel
Caractéristiques :
● Référence MRF173CQ
● Description FETRF 65V 150MHZ 316-01● Description détaillée RF Mosfet Canal N 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Style 2
● Fiches techniques MRF173CQ
● information environnementale Certificat RoHS
● Fiche technique HTML MRF173CQ
● Emballage : Plateau
● État de la pièce: Actif
● Type de transistor: N-Channel
● La fréquence: 150MHz
● Gain: 13dB
● Tension - Test: 28V
● Courant nominal (ampères): 9A
● Figure de bruit: 1.5 dB
● Courant - Test: 50mA
● Puissance - Sortie: 80W
● Tension - nominale: 65V
Applications :
Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande jusqu'à une plage de fréquences de 200 MHz. Les performances à haute puissance, à gain élevé et à large bande de cet appareil permettent des émetteurs à semi-conducteurs pour les bandes de fréquences de diffusion FM ou de canal de télévision, mode d'amélioration du canal N
Paramètres:
MOSFET en mode d'amélioration de canal N
● Performances garanties à 150 MHz, 28 V:
Puissance de sortie = 80 W
Gain = 11 dB (typ. 13 dB)
Efficacité = 55% Min. (60% typ.)
● Faible résistance thermique
● Robustesse testée à la puissance de sortie nominale
● Matrice passivée au nitrure pour améliorer
● e fiabilité
● Faible bruit - 1.5 dB typ. à 2.0 A, 150 MHz
● Excellente stabilité thermique; adapté pour un fonctionnement de classe A
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 79 | 1 | 0 | 79 | Airmail Expédition |
