FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF puissance LDMOS RF transistor de puissance-RF transistor-FMUSER FM / TV fournisseur unique

FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor Description: Un transistor de puissance 600 W LDMOS RF pour les applications d'émetteur de diffusion et les applications industrielles. L'excellente robustesse de cet appareil le rend idéal pour les applications d'émetteurs numériques et analogiques. Caractéristiques ● Excellente robustesse (VSWR ≥ 40: 1 sur toutes les phases) ● Comportement thermique et fiabilité optimaux, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Convient aux applications CW UHF et ISM ● Gain de puissance élevé ● Haut rendement ● Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz) ● Adaptation d'entrée interne pour un gain élevé et un fonctionnement à large bande optimal ● Excellente fiabilité ● Facile

Détails

Précédent:FMUSER MRFE6VP5150N Transistors LDMOS de puissance RF haute robustesse N - Amélioration du canal - Transistor MOSFET latéraux en mode

Next:FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de puissance Transistor MOSFET de puissance N-Channel

Prix (USD)	Nbre (PCS)	Frais de port (USD)	Total (USD)	Méthodes d'expedition	Paiement
296	1	0	296	DHL
				DHL

FMUSER ORIGINALE BLF888A 600W 50V Puissance UHF LDMOS RF Power Transistor

Description:

Un transistor de puissance RF 600 W LDMOS pour les applications de transmetteur de diffusion et les applications industrielles. L'excellente robustesse de cet appareil le rend idéal pour les applications d'émetteurs numériques et analogiques.

Fonctionnalités:

● Excellente robustesse (VSWR ≥ 40: 1 sur toutes les phases)
● Comportement thermique et fiabilité optimaux, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Convient aux applications CW UHF et ISM
● Le gain de puissance élevée
● Rendement
● Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz)
● Adaptation des entrées internes pour un gain élevé et un fonctionnement optimal à large bande
● Excellente fiabilité
● Commande de puissance Facile
● Conforme à la directive 2002/95 / CE relative à la limitation des substances dangereuses (RoHS)

Applications
● Applications d'émetteur de communication dans la bande UHF

● Applications industrielles dans la bande UHF

Paramètres

● Symbole Paramètre Conditions Min Type / Nom: Max Unité
● Gamme F gamme de fréquences: 470 860 MHz
● PL (1 dB) puissance de sortie nominale: à 1 dB de compression de gain 600 IN
● Signal de test: DVB-T (8k OFDM)
● Gp gain de puissance VDS = 50 V ; f = 858 MHz 20 dB
le D efficacité de vidange VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) puissance de sortie moyenne VDS = 50 V ; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr atténuation d'épaulement de distorsion d'intermodulation f = 858MHz [0] - 31 dBc
● BY rapport crête / moyenne f = 858MHz [1] 7.8 dB
● Type : Transistors discrets de puissance RF
● Fréquence min: 0.47 GHz
● Fréquence max: 0.86 GHz
● Puissance de sortie: 600 W.

● Gain: 20 dB

● Type d'efficacité%: 58