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FMUSER Original Nouveau MRF6V2150NB SMD RF PTransistor de puissance Transistor MOSFET de puissance de Module d'amplification de puissance de Tube à haute fréquence

FMUSER original nouveau MRF6V2150NB Transistor de puissance RF Transistor MOSFET de puissance dconçu principalement pour les applications de sortie de signal et de pilote à large bandeavec des fréquences jusqu'à 450 MHz. Les appareils sont inégalés et conviennent pourutilisation dans des applications industrielles, médicales et scientifiques

Détails du produit:

PNuméro d'art: MRF6V2150NB

Description: MOSFET de puissance RF large bande unipolaire latéral à canal N, 10-450 MHz, 150 W, 50 V

Caractéristiques :

Performance CW typique à 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts
Gain de puissance: 25.5 dB
Efficacité du drain: 69%
Capable de gérer 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watts
Protection ESD intégrée
Excellente stabilité thermique
Facilite le contrôle manuel du gain, l'ALC et les techniques de modulation
Emballage en plastique compatible 225 ° C
Conforme RoHS

Paramètres généraux:

Type de transistor: LDMOS

Technologie: Si

Industrie d'application: ISM, diffusion

Application: scientifique, médicale

CW / impulsion: CW

Fréquence: 10 à 450 MHz

Puissance: 51.76 dBm

Puissance (W): 149.97 W

Puissance CW: 150 W

Gain de puissance (Gp): 23.5 à 26.5 dB

Perte de retour d'entrée: -17 à -3 dB

VSWR: 10.00: 1

Polarité: canal N

Tension d'alimentation: 50 V

Tension de seuil: 1 à 3 Vdc

Tension de claquage - Drain-Source: 110 V

Tension - Gate-Source (Vgs): - 0.5 à 12 Vdc

Efficacité du drain: 0.683

Courant de vidange: 450 mA

Impédance Zs: 50 Ohms

Résistance thermique: 0.24 ° C / W

Type d'emballage: Bride

Paquet: CASE 1484--04, STYLE 1 À - 272 WB - 4 PLASTIQUE

RoHS: Oui

Température de fonctionnement: 150 degrés C

Température de stockage: -65 à 150 degrés 

Le forfait comprend:
1xMRF6V2150NB Transistor de puissance RF

 

 

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