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FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF MRF6VP11KH Transistor MOSFET de puissance
FMUSER Original New MRF6VP11KH Transistor de puissance RF Transistor MOSFET de puissance FMUSER MRF6VP11KHR6 est principalement conçu pour les applications à large bande pulsée avec des fréquences jusqu'à 150 MHz. L'appareil est inégalé et convient à une utilisation dans des applications industrielles, médicales et scientifiques. Caractéristiques Performances pulsées typiques à 130 MHz: VDD = 50 volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 watts crête (200 W en moyenne), largeur d'impulsion = 100 µsec, cycle de service = 20% gain de puissance: 26 dB efficacité de vidange: 71 % Capable de gérer 10: 1 VSWR, @ 50 Vcc, 130 MHz, 1000 Watts Puissance de crête caractérisée avec des paramètres d'impédance de grand signal équivalents en série Capacité de fonctionnement CW avec un refroidissement adéquat Qualifié jusqu'à un maximum de 50 VDD Fonctionnement Protection ESD intégrée
Détails
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF MRF6VP11KH Transistor MOSFET de puissance
FMUSER MRF6VP11KHR6 est principalement conçu pour les applications à large bande pulsée avec des fréquences jusqu'à 150 MHz. L'appareil est inégalé et convient à une utilisation dans des applications industrielles, médicales et scientifiques.
Fonctionnalités:
Performances pulsées typiques à 130 MHz: VDD = 50 volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 watts crête (200 W moy.), Largeur d'impulsion = 100 µs, cycle de service = 20%
Gain de puissance: 26 dB
Égoutter efficacité:% 71
Capable de gérer 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Caractérisé par des paramètres d'impédance de grand signal équivalents en série
Capacité d'opération en CW avec refroidissement adéquat
Qualifié jusqu'à un maximum d'opération 50 VDD
Protection ESD intégrée
Conçu pour un fonctionnement push-pull
Plage de tension négative plus élevée de porte-source pour l'opération améliorée de la classe C
Conforme RoHS
En bande et bobine. Suffixe R6 = 150 unités par bobine de 56 mm, 13 pouces
Spécification
Type de transistor: LDMOS
Technologie: Si
Industrie d'application: ISM, diffusion
Application: scientifique, médicale
CW / impulsion: CW
Fréquence: 1.8 à 150 MHz
Puissance: 53.01 dBm
Puissance (W): 199.99 W
P1dB: 60.57 dBm
Puissance de sortie de crête: 1000 W
Largeur pulsée: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Gain de puissance (Gp): 24 à 26 dB
Retour d'entrée: Perte: -16 à -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polarité: canal N
Tension d'alimentation: 50 V
Tension de seuil: 1 à 3 Vdc
Tension de panne - Drain-Source: 110 V
Tension - Gate-Source: (Vgs): - 6 à 10 Vdc
Efficacité du drain: 0.71
Courant de vidange: 150 mA
Impédance Zs: 50 Ohms
Résistance thermique: 0.03 ° C / W
Paquet: Type: bride
Paquet: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230-4
RoHS: Oui
Température de fonctionnement: 150 degrés C
Température de stockage: -65 à 150 degrés C
Le forfait comprend
1x Transistor de puissance RF MRF6VP11KH
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
