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TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE RF MRFE6VP5300N

 MRFE6VP5300N TRANSISTOR À MOSFET DE PUISSANCE RF Description Ces appareils à haute robustesse, MRFE6VP5300NR1 et MRFE6VP5300GNR1, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à haut VSWR (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / mobile terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz. Caractéristiques ● Large plage de fréquences de fonctionnement ● Robustesse extrême ● Entrée et sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences ● Améliorations de la stabilité intégrée ● Faible résistance thermique ● Circuit de protection ESD intégré ● Conforme RoHS ● En bande et bobine. Suffixe R1 = 500 unités, largeur de bande de 44 mm, bobine de 13 pouces. Paramètres clés

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
135 1 0 135 DHL

 



 MRFE6VP5300N  TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE RF


Description

Ces appareils à haute robustesse, MRFE6VP5300NR1 et MRFE6VP5300GNR1, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz.

Fonctionnalités:
Large plage de fréquences de fonctionnement
Robustesse extrême
Entrée et sortie inégalées permettant l'utilisation de plages de fréquences étendues
Améliorations de la stabilité intégrées
Faible résistance thermique
Circuit de protection ESD intégré
Conforme RoHS
Dans le ruban et la bobine. Suffixe R1 = unités 500, largeur de bande 44 mm, bobine 13.

Paramètres clés
Fréquence (min) 1.8 (MHz)
Fréquence (max) 600 (MHz)
Tension d'alimentation (Typ) 50 (V)
P1dB (type) 54.8 (dBm)
P1dB (type) 300 (W)
Puissance de sortie (Typ) (W) @ Niveau d'intermodulation au signal de test 300.0 @ CW
Signal de test CW
Gain de puissance (type) 25.0 à 230 (dB) à f (MHz)
Efficacité (Typ) 70 (%)

Résistance thermique (Spec) 0.22 (℃ / W)




Le forfait comprend

1x MRFE6VP5300N   RF Transistor



 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
135 1 0 135 DHL

 

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