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TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE RF MRFE6VP5300N
MRFE6VP5300N TRANSISTOR À MOSFET DE PUISSANCE RF Description Ces appareils à haute robustesse, MRFE6VP5300NR1 et MRFE6VP5300GNR1, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à haut VSWR (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / mobile terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz. Caractéristiques ● Large plage de fréquences de fonctionnement ● Robustesse extrême ● Entrée et sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences ● Améliorations de la stabilité intégrée ● Faible résistance thermique ● Circuit de protection ESD intégré ● Conforme RoHS ● En bande et bobine. Suffixe R1 = 500 unités, largeur de bande de 44 mm, bobine de 13 pouces. Paramètres clés
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE RF
Description
Ces appareils à haute robustesse, MRFE6VP5300NR1 et MRFE6VP5300GNR1, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une utilisation sur une large plage de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz.Fonctionnalités:
●Large plage de fréquences de fonctionnement
●Robustesse extrême
●Entrée et sortie inégalées permettant l'utilisation de plages de fréquences étendues
●Améliorations de la stabilité intégrées
●Faible résistance thermique
●Circuit de protection ESD intégré
●Conforme RoHS
●Dans le ruban et la bobine. Suffixe R1 = unités 500, largeur de bande 44 mm, bobine 13.
Paramètres clés
●Fréquence (min) 1.8 (MHz)
●Fréquence (max) 600 (MHz)
●Tension d'alimentation (Typ) 50 (V)
●P1dB (type) 54.8 (dBm)
●P1dB (type) 300 (W)
●Puissance de sortie (Typ) (W) @ Niveau d'intermodulation au signal de test 300.0 @ CW
●Signal de test CW
●Gain de puissance (type) 25.0 à 230 (dB) à f (MHz)
●Efficacité (Typ) 70 (%)
●Résistance thermique (Spec) 0.22 (℃ / W)
Le forfait comprend
1x MRFE6VP5300N RF Transistor
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |