FMUSER Original nouveau MRF171A RF puissance transistor puissance MOSFET-RF transistor-FMUSER FM / TV diffusion fournisseur unique

FMUSER Original New MRF171A RF Transistor de puissance Transistor MOSFET de puissance Description Conçu principalement pour les étages de sortie et d'attaque à large bande à grand signal de 30 à 200 MHz. Caractéristiques ● MOSFET en mode d'amélioration de canal N ● Excellente stabilité thermique adaptée au fonctionnement Cass A ● Performances garanties à 150 MHz, 28 Vdc: Puissance de sortie = 45 W, ● Gain de puissance = 17 dB (min) 'Efficacité = 60% (min) ● Données typiques pour les applications d'amplificateurs de puissance dans les équipements radio industriels, ● commerciaux et amateurs: ● Performances typiques à 30 MHz, 28 Vcc: Puissance de sortie = 30 W, Puissance ● Gain = 20 dB (Typ.) (PEP), Efficacité = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

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				poste aérienne

FMUSER Original Nouveau MRF171A MOSFET de puissance de transistor de puissance RF Transistor

Description

Conçu principalement pour la sortie et le pilote de signal large bande large étages de 30 à 200 MHz.

Fonctionnalités:

●MOSFET en mode d'amélioration de canal N
●Excellente stabilité thermique adaptée au fonctionnement Cass A
●Performances garanties à 150 MHz, 28 Vdc: Puissance de sortie = 45 W,
●Gain de puissance = 17 dB (min) 'Efficacité = 60% (min)
●Données typiques pour les applications d'amplificateurs de puissance dans l'industrie,

●Équipement de radio commerciale et amateur:

●Performances typiques à 30 MHz, 28 Vdc: Puissance de sortie = 30 W, Puissance

●gain = 20 dB (typ.) (PEP), efficacité = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (Typique)
●Métal supérieur doré
●Faible Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% testé pour la non-concordance de charge à tous les angles de phase avec 30: 1 VSWR
●Facilite les techniques de contrôle manuel du gain, d'ALC et de modulation