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FMUSER Original nouveau transistor de puissance MRF173 RF transistor MOSFET de puissance
FMUSER Nouveau transistor de puissance MRF173 RF original Transistor MOSFET de puissance Description Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande jusqu'à 200 MHz. Les performances de haute puissance, de gain élevé et de large bande de cet appareil permettent des émetteurs à semi-conducteurs pour les bandes de fréquences de diffusion FM ou de chaînes de télévision. Caractéristique Performances garanties à 150 MHz, 28 V: Puissance de sortie = 80 W Gain = 11 dB (13 dB typ.) Rendement = 55% min. (60% typ.) Faible résistance thermique Robustesse testée à la puissance de sortie nominale Matrice passivée au nitrure pour une fiabilité accrue Faible bruit - 1.5 dB typ à 2.0 A, 150 MHz Excellente stabilité thermique; su
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
58 | 1 | 0 | 58 | poste aérienne |
FMUSER Original nouveau MOSFET de puissance de transistor de puissance RF MRF173 Transistor
Description
Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande jusqu'àPlage de fréquences de 200 MHz. La puissance, le gain élevé et le haut débit
les performances de cet appareil permettent des transmetteurs à semi-conducteurs pour
Bandes de fréquences de diffusion FM ou de chaînes de télévision.
Fonctionnalité
Performances garanties à 150 MHz, 28 V:Puissance de sortie = 80 W
Gain = 11 dB (typ. 13 dB)
Efficacité = 55% min. (60% typ.)
Faible résistance thermique
Robustesse testée à la puissance de sortie nominale
Filière passivée au nitrure pour une fiabilité accrue
Faible bruit - 1.5 dB typ à 2.0 A, 150 MHz
Excellente stabilité thermique; adapté pour un fonctionnement de classe A
1x transistor de puissance RF MRF173
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
58 | 1 | 0 | 58 | poste aérienne |