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FMUSER Original nouveau transistor de puissance MGF2430A RF transistor MOSFET de puissance

FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF MGF2430A Transistor MOSFET de puissance DESCRIPTION Le MGF2430A, GaAs FET avec un schéma de canal N, est conçu pour les amplificateurs de bande L à Ku. CARACTÉRISTIQUES ● Puissance de sortie élevée P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Gain linéaire élevé GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Rendement à haute puissance ajoutée P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Boîtier métallique hermétiquement scellé APPLICATION ● Pour amplificateurs de puissance en bande L à Ku QUALITÉ ● SCHÉMA IGOUTLINE CONDITIONS DE BIAS RECOMMANDÉES ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Valeurs maximales absolues ● Tension de porte VGDO à source ● Tension de porte VGSO à source ● IDSS Satu

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
69 1 0 69 poste aérienne

 



FMUSER Original nouveau MOSFET de puissance de transistor de puissance RF MGF2430A Transistor





DESCRIPTION

Le MGF2430A, GaAs FET avec un schottkygate à canal N, est conçu pour les amplificateurs de bande L à Ku.


CARACTERISTIQUES

Puissance de sortie élevée P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

Gain linéaire élevé GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

Efficacité ajoutée haute puissance P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

Emballage métallique hermétique

Pour amplificateurs de puissance en bande L à Ku

DESSIN IGOUTLINE





CONDITIONS DE BIAS RECOMMANDÉES

Vds = 10V Ids = 300mA  Rg = 500
Notes maximales absolues
VGDO Gate to Source Tension
VGSO Gate à la tension de source
Courant de drain saturé IDSS
Courant de porte inverse IGR
Courant de porte avant IGF
PT * 1 Dissipation de puissance totale
Tch Cannel température

Tstg Température de stockage * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C) 

Le forfait comprend
1x transistor de puissance RF MGF2430A


 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
69 1 0 69 poste aérienne

 

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