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1 transistor RF d'origine PCS MRF275G

1 Transistor RF original PCS MRF275G Description Conçu principalement pour les étages de sortie et d'attaque large bande à large bande de 100 à 500 MHz. CARACTÉRISTIQUES ● Conçu principalement pour les étages de sortie linéaires à grand signal jusqu'à 150 MHz ● IMD d'ordre supérieur supérieur ● IMD (d3) (150W PEP): –32dB (Typ.) ● IMD (d11) (150W PEP): –60dB (Typ .) ● Caractéristiques 50V, 30MHz spécifiées ● Puissance de sortie = 150 Watts ● Gain de puissance = 17 dB (Typ.) ● Efficacité = 45% (Typ.) ● 100% testé pour la discordance de charge à tous les angles de phase Le paquet comprend 1x transistor MRF275G RF

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
128 1 0 128 poste aérienne

 



1 PCS MRF275G  transistor RF d'origine

Description

Conçu principalement pour la sortie de signal large bande large et étages de pilote de 100 à 500 MHz.
  
CARACTERISTIQUES
Conçu principalement pour les étages de sortie linéaires à grand signal jusqu'à 150 MHz
IMD d'ordre supérieur supérieur
IMD (d3) (150 W PEP): –32 dB (typ.)
IMD (d11) (150 W PEP): –60 dB (typ.)
Caractéristiques spécifiées 50V, 30MHz
Puissance de sortie = 150 Watts
Gain de puissance = 17 dB (typ.)
Efficacité = 45% (Typ.)

100% testé pour l'inadéquation de la charge à tous les angles de phase


Paquet inciude

1x transistor RF MRF275G



 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
128 1 0 128 poste aérienne

 

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