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FMUSER 1 pièces Original nouveau transistor MOSFET de puissance RF MRF141G

FMUSER 1pcs Nouveau transistor MOSFET de puissance RF MRF141G RF Description Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande à des fréquences allant jusqu'à 175 MHz. La puissance élevée, le gain élevé et les performances à large bande de cet appareil sont particulièrement utiles pour les émetteurs et amplificateurs à semi-conducteurs en bande de fréquence de diffusion FM ou de chaîne de télévision. Caractéristiques ● Performances garanties à 175 MHz, 28 V: ● Puissance de sortie: 300 W ● Gain: 12 dB (14 dB typ.) ● Rendement: 50% ● Faible résistance thermique: 0.35 ° C / W ● Robustesse testée à la puissance de sortie nominale ● Filière passivée au nitrure pour spécification de fiabilité améliorée ● Polarité du transistor: canal N ● Technologie: Si ● Id - Courant de vidange continu: 32 A

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
168 1 0 168 DHL

 



FMUSER 1 pièces Original nouveau MRF141G  Transistor MOSFET de puissance RF

Description

Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande à des fréquences allant jusqu'à 175 MHz. La haute puissance, haute le gain et les performances haut débit de cet appareil sont particulièrement utiles pour la diffusion FM ou la fréquence des chaînes de télévision émetteurs et amplificateurs à semi-conducteurs à bande.





Fonctionnalités:

Performances garanties à 175 MHz, 28 V:
Puissance de sortie : 300W
Gain: 12 dB (14 dB typ.)
Efficacité: 50%
Faible résistance thermique: 0.35 ° C / W
Robustesse testée à la puissance de sortie nominale
Filière passivée au nitrure pour une fiabilité accrue
spécification
Polarité du transistor: N-Channel
Technologie: Si
Id - Courant de drainage continu: A 32
Vds - Tension de claquage drain-source: 65 V
Fréquence de fonctionnement: 175 MHz
Gain: 12 dB
Puissance de sortie: 300 W
Température minimale de fonctionnement: - 65°C
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Style de montage: SMD / SMT
Paquet / Cas: 375-04
Pd - Dissipation de puissance: 500 W
Vgs - Tension Gate-Source: 40 V

Vgs th - Tension de seuil de source de porte: 3 V





Applications

 Aérospatiale et défense

 ISM


Le forfait comprend

1x MRF141G  Transistor de puissance RF



 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
168 1 0 168 DHL

 

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