1 PCS MRF454 transistor RF original-RF transistor-FMUSER fournisseur unique de diffusion FM / TV

1 Transistor RF original PCS MRF454 Description du produit Le MRF454 est un transistor de puissance RF en silicium NPN. Il est conçu pour des applications en tant qu'amplificateur linéaire haute puissance de 2.0 à 30 MHz. Paramètres Valeurs maximales absolues du MRF454: (1) Tension collecteur-émetteur: 25 Vdc; (2) Tension collecteur – base: 45 Vcc; (3) Tension émetteur – base: 4.0 Vcc; (4) Courant de collecteur - Continu: 20 Adc; (5) Dissipation totale de l'appareil @ TC = 25 ° C: 250 W; (6) Déclassement au-dessus de 25 ° C: 1.43 W / ° C; (7) Plage de température de stockage: –65 à +150 ° C. Caractéristiques ● Conçu principalement pour les étages de sortie linéaires à grand signal jusqu'à 150 MHz ● I d'ordre supérieur supérieur

Détails

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Prix (USD)	Nbre (PCS)	Frais de port (USD)	Total (USD)	Méthodes d'expedition	Paiement
65	1	0	65	expédition par avion
				expédition par avion

1 transistor RF d'origine PCS MRF454

Déscription

Le MRF454 est un transistor de puissance RF en silicium NPN. Il est conçu pour des applications en tant qu'amplificateur linéaire haute puissance de 2.0 à 30 MHz.

Paramètres

Valeurs nominales maximales absolues du MRF454: (1) Tension collecteur-émetteur: 25 Vcc; (2) Tension collecteur – base: 45 Vcc; (3) Tension émetteur-base: 4.0 Vcc; (4) Courant de collecteur - Continu: 20 Adc; (5) Dissipation totale de l'appareil @ TC = 25 ° C: 250 W; (6) Déclassement au-dessus de 25 ° C: 1.43 W / ° C; (7) Plage de température de stockage: –65 à +150 ° C.

Fonctionnalités:

● Conçu principalement pour les étages de sortie linéaires à grand signal jusqu'à 150 MHz
● IMD d'ordre supérieur supérieur
● IMD (d3) (150 W PEP): –32 dB (typ.)
● IMD (d11) (150 W PEP): –60 dB (typ.)
● Caractéristiques 50V, 30MHz spécifiées
● Puissance de sortie = 150 Watts
● Gain de puissance = 17 dB (typ.)
● Efficacité = 45% (Typ.)
● 100% testé pour l'inadéquation de la charge à tous les angles de phase