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FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF puissance LDMOS RF Transistor de puissance
FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor Description: Un transistor de puissance 600 W LDMOS RF pour les applications d'émetteur de diffusion et les applications industrielles. L'excellente robustesse de cet appareil le rend idéal pour les applications d'émetteurs numériques et analogiques. Caractéristiques ● Excellente robustesse (VSWR ≥ 40: 1 sur toutes les phases) ● Comportement thermique et fiabilité optimaux, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Convient aux applications CW UHF et ISM ● Gain de puissance élevé ● Haut rendement ● Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz) ● Adaptation d'entrée interne pour un gain élevé et un fonctionnement à large bande optimal ● Excellente fiabilité ● Facile
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
296 | 1 | 0 | 296 | DHL |
FMUSER ORIGINALE BLF888A 600W 50V Puissance UHF LDMOS RF Power Transistor
Description:
Un transistor de puissance RF 600 W LDMOS pour les applications de transmetteur de diffusion et les applications industrielles. L'excellente robustesse de cet appareil le rend idéal pour les applications d'émetteurs numériques et analogiques.
Fonctionnalités:
● Excellente robustesse (VSWR ≥ 40: 1 sur toutes les phases)● Comportement thermique et fiabilité optimaux, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Convient aux applications CW UHF et ISM
● Le gain de puissance élevée
● Rendement
● Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz)
● Adaptation des entrées internes pour un gain élevé et un fonctionnement optimal à large bande
● Excellente fiabilité
● Commande de puissance Facile
● Conforme à la directive 2002/95 / CE relative à la limitation des substances dangereuses (RoHS)
Applications
● Applications d'émetteur de communication dans la bande UHF
● Applications industrielles dans la bande UHF
Paramètres
● Symbole Paramètre Conditions Min Type / Nom: Max Unité● Gamme F gamme de fréquences: 470 860 MHz
● PL (1 dB) puissance de sortie nominale: à 1 dB de compression de gain 600 IN
● Signal de test: DVB-T (8k OFDM)
● Gp gain de puissance VDS = 50 V ; f = 858 MHz 20 dB
le D efficacité de vidange VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) puissance de sortie moyenne VDS = 50 V ; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr atténuation d'épaulement de distorsion d'intermodulation f = 858MHz [0] - 31 dBc
● BY rapport crête / moyenne f = 858MHz [1] 7.8 dB
● Type : Transistors discrets de puissance RF
● Fréquence min: 0.47 GHz
● Fréquence max: 0.86 GHz
● Puissance de sortie: 600 W.
● Gain: 20 dB
● Type d'efficacité%: 58
● Tension d'alimentation: 50 V● Identifiant: 1300 mA
● Paquet: SOT-593A
● Processus: LDMOS
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
296 | 1 | 0 | 296 | DHL |