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FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF MRFE6VP61K25H Transistor MOSFET haute puissance LDMOS pour émetteur FM 1000 w
FMUSER NXP MRFE6VP61K25H Transistor RF LDMOS pour émetteur FM 1000w
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
250 | 1 | 30 | 280 | DHL |
FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF MRFE6VP61K25H Transistor MOSFET haute puissance LDMOS pour émetteur FM 1000 w
MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz, Transistors LDMOS à large bande RF 1250 W CW, 50 V
Aperçu :
Ces dispositifs à haute robustesse, MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS et MRFE6VP61K25GS, sont conçus pour une utilisation dans les applications industrielles à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et radio / terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une large utilisation de la gamme de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz.
Caractéristiques :
Entrée et sortie inégalées permettant l'utilisation de plages de fréquences étendues
Le périphérique peut être utilisé à une extrémité ou dans une configuration Push-Pull
Qualifié jusqu'à un maximum d'opération 50 VDD
Caractérisé de 30 V à 50 V pour une plage de puissance étendue
Convient pour une application linéaire avec un biais approprié
Protection ESD intégrée avec plage de tension Gate-Source négative plus élevée pour un fonctionnement en Classe C amélioré
Caractérisé par des paramètres d'impédance de grand signal équivalents en série
Conforme RoHS
Dans le ruban et la bobine. Suffixe R6 = unités 150, largeur de bande 56 mm, bobine 13.
Ces produits sont inclus dans notre programme de longévité des produits avec un approvisionnement assuré pour un minimum de 15 ans après le lancement.
Le forfait comprend:
1* MRFE6VP61K25H RF Transistor
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
250 | 1 | 30 | 280 | DHL |