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FMUSER Original Nouveau Transistor De Transistor MOSFET De Puissance De Transistor De Puissance de BLF578 RF

FMUSER Original New BLF578 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Caractéristiques Contrôle de puissance facile Protection ESD intégrée Excellente robustesse Haute efficacité Excellente stabilité thermique Conçu pour un fonctionnement à large bande (10 MHz à 500 MHz) Conforme à la directive 2002/95 / CE, concernant la limitation des spécifications des substances dangereuses Plage de fréquences: 10 ~ 500 mhz Puissance de sortie nominale: 1000 W Gain de puissance (VDS = 50 V; PL = 1000 W): 26 dB Efficacité de vidange (VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1000 W) : 75% d'informations d'épinglage

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
245 1 35 280 DHL

 



FMUSER Original Nouveau Transistor De Transistor MOSFET De Puissance De Transistor De Puissance de BLF578 RF



Fonctionnalités:


Commande de puissance Facile
Protection ESD intégrée
Excellente robustesse
Rendement
Excellente stabilité thermique
Conçu pour un fonctionnement à large bande (10 MHz à 500 MHz)
Conforme à la directive 2002 / 95 / CE, relative à la limitation des substances dangereuses




Spécification

Gamme de fréquences: 10 ~ 500mhz

Nom puissance de sortie: 1000W

Gain de puissance (VDS = 50 V; PL = 1000 W): 26 dB

Efficacité de vidange (VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1000 W): 75%



Informations épinglant




 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
245 1 35 280 DHL

 

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