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FMUSER 1 pièces Original nouveau transistor MOSFET de puissance RF MRF141G
FMUSER 1pcs Nouveau transistor MOSFET de puissance RF MRF141G RF Description Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande à des fréquences allant jusqu'à 175 MHz. La puissance élevée, le gain élevé et les performances à large bande de cet appareil sont particulièrement utiles pour les émetteurs et amplificateurs à semi-conducteurs en bande de fréquence de diffusion FM ou de chaîne de télévision. Caractéristiques ● Performances garanties à 175 MHz, 28 V: ● Puissance de sortie: 300 W ● Gain: 12 dB (14 dB typ.) ● Rendement: 50% ● Faible résistance thermique: 0.35 ° C / W ● Robustesse testée à la puissance de sortie nominale ● Filière passivée au nitrure pour spécification de fiabilité améliorée ● Polarité du transistor: canal N ● Technologie: Si ● Id - Courant de vidange continu: 32 A
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
168 | 1 | 0 | 168 | DHL |
FMUSER 1 pièces Original nouveau MRF141G Transistor MOSFET de puissance RF
Description
Conçu pour les applications commerciales et militaires à large bande à des fréquences allant jusqu'à 175 MHz. La haute puissance, haute le gain et les performances haut débit de cet appareil sont particulièrement utiles pour la diffusion FM ou la fréquence des chaînes de télévision émetteurs et amplificateurs à semi-conducteurs à bande.
Fonctionnalités:
●Performances garanties à 175 MHz, 28 V:●Puissance de sortie : 300W
●Gain: 12 dB (14 dB typ.)
●Efficacité: 50%
●Faible résistance thermique: 0.35 ° C / W
●Robustesse testée à la puissance de sortie nominale
●Filière passivée au nitrure pour une fiabilité accrue
●Polarité du transistor: N-Channel
●Technologie: Si
●Id - Courant de drainage continu: A 32
●Vds - Tension de claquage drain-source: 65 V
●Fréquence de fonctionnement: 175 MHz
●Gain: 12 dB
●Puissance de sortie: 300 W
●Température minimale de fonctionnement: - 65°C
●Température de fonctionnement maximale: + 150°C
●Style de montage: SMD / SMT
●Paquet / Cas: 375-04
●Pd - Dissipation de puissance: 500 W
●Vgs - Tension Gate-Source: 40 V
●Vgs th - Tension de seuil de source de porte: 3 V
Applications
●Aérospatiale et défense●ISM
Le forfait comprend
1x MRF141G Transistor de puissance RF
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
168 | 1 | 0 | 168 | DHL |