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MRFX1K80H: 1800 W CW sur 1.8-400 MHz, transistor LDMOS de puissance RF large bande 65 V
MRFX1K80H: 1800 W CW sur 1.8-400 MHz, Transistor LDMOS de puissance RF large bande 65 V Description Le MRFX1K80H est le premier appareil basé sur la nouvelle technologie LDMOS 65 V qui se concentre sur la facilité d'utilisation. Ce transistor à haute robustesse est conçu pour une utilisation dans des applications industrielles, scientifiques et médicales à haut VSWR, ainsi que dans des applications de diffusion radio et de télévision VHF, aérospatiale sub-GHz et radio mobile. Sa conception d'entrée et de sortie inégalée permet une large plage de fréquences d'utilisation de 1.8 à 400 MHz.Le MRFX1K80H est compatible avec les broches (même PCB) avec sa version plastique MRFX1K80N, avec MRFE6VP61K25H et MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), et avec MRF1K50H et MRF1K50N (1500 W à 50 V). Fonctionnalité
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
MRFX1K80H: 1800 W CW sur 1.8-400 MHz, transistor LDMOS de puissance RF large bande 65 V
Description
Le MRFX1K80H est le premier appareil basé sur la nouvelle technologie LDMOS 65 V qui met l'accent sur la facilité d'utilisation. Ce transistor à haute robustesse est conçu pour une utilisation en haute Applications industrielles, scientifiques et médicales VSWR, ainsi que radio et TV VHF applications de diffusion, aérospatiale sous-GHz et radio mobile. Son entrée inégalée et la conception de sortie permet une large plage de fréquences de 1.8 à 400 MHz.Le MRFX1K80H est compatible broches (même PCB) avec sa version plastique MRFX1K80N, avec MRFE6VP61K25H et MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), et avec MRF1K50H et MRF1K50N (1500 W à 50 V).
Fonctionnalités:
●Basé sur la nouvelle technologie LDMOS 65 V, conçu pour une utilisation facile
●Caractérisé de 30 à 65 V pour la plage de puissance étendue
●Entrée et sortie inégalées
●Tension de claquage élevée pour une fiabilité accrue et des architectures plus efficaces
●Capacité d'absorption d'énergie avalanche drain-source élevée
●Grande robustesse. Poignées 65: 1 VSWR.
●conforme RoHS
●Option de résistance thermique inférieure dans l'emballage en plastique surmoulé: MRFX1K80N
Applications
● Industriel, scientifique, médical (ISM)● Génération laser
● Génération de plasma
● Accélérateurs de particules
● IRM, ablation RF et traitement de la peau
● Installations industrielles de chauffage, de soudage et de séchage
● Diffusion radio et TV VHF
● Aérospatiale
● Communications HF
● Radar
Le forfait comprend
1xMRFX1K80H Transistor LDMOS de puissance RF
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
245 | 1 | 0 | 245 | DHL |