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FMUSER Original Nouveau MRF6VP2600H Transistor de puissance MOSFET Transistor 500MHz 600W Latéral N-Canal Haut Débit
FMUSER Original New MRF6VP2600H Transistor de puissance RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Latéral N-Channel Broadband Overview Le MRF6VP2600H est principalement conçu pour les applications large bande avec des fréquences allant jusqu'à 500 MHz. L'appareil est inégalé et convient à une utilisation dans des applications de diffusion. Caractéristiques * Performances DVB-T OFDM typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Moy., F = 225 MHz, Bande passante de canal = 7.61 MHz, Signal d'entrée PAR = 9.3 dB @ 0.01% de probabilité sur CCDF. Gain de puissance: 25 dB Efficacité du drain: 28.5% ACPR @ 4 MHz Décalage: –61 dBc @ 4 kHz Bande passante * Performance pulsée typique: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Largeur d'impulsion = 100
Détails
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
245 | 1 | 35 | 280 | DHL |
FMUSER Original Nouveau MRF6VP2600H Transistor de puissance RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Latéral N-Channel Broadband
Vue d'ensemble
Le MRF6VP2600H est conçu principalement pour les applications à large bande avec des fréquences allant jusqu’à 500 MHz. L'appareil est incomparable et convient à une utilisation dans les applications de diffusion.
Fonctionnalités:
* Performances DVB-T OFDM typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Moy., F = 225 MHz, Bande passante du canal = 7.61 MHz, Signal d'entrée PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilité sur CCDF. : 25 dB Efficacité du drain: 28.5% ACPR @ 4 MHz Décalage: –61 dBc @ 4 kHz Bande passante
* Performances pulsées typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 25.3 dB Efficacité du drain: 59%
* Capable de gérer 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Puissance de crête, Durée d'impulsion = 100 µsec, Cycle d'utilisation = 20%
* Caractérisé par les paramètres série d'impédance de grand signal équivalents
* Capacité d'opération en CW avec refroidissement adéquat
* Qualifié jusqu'à un maximum de 50 opérations VDD
* Protection ESD intégrée
* Conçu pour un fonctionnement push-pull
* Plage de tension négative plus élevée de porte-source pour l'opération améliorée de la classe C
* Conforme RoHS
* En bande et bobine. Suffixe R6 = Unités 150 par bobine 56, mm 13.
Spécification
Fréquence (min) (MHz): 2
Fréquence (Max) (MHz): 500
Tension d'alimentation (type) (V): 50
P1dB (Typ) (dBm): 57.8
P1dB (Typ) (W): 600
Puissance de sortie (Typ) (W) @ Niveau d'intermodulation au signal de test: 125.0 @ AVG
Signal de test: OFDM
Gain de puissance (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225
Efficacité (Typ) (%): 28.5
Résistance thermique (Spec) (/ W): 0.2
Correspondant: inégalé
Classe: AB
Technologie des matrices: LDMOS
Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
245 | 1 | 35 | 280 | DHL |