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FMUSER Original Nouveau MRF6VP2600H Transistor de puissance MOSFET Transistor 500MHz 600W Latéral N-Canal Haut Débit

FMUSER Original New MRF6VP2600H Transistor de puissance RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Latéral N-Channel Broadband Overview Le MRF6VP2600H est principalement conçu pour les applications large bande avec des fréquences allant jusqu'à 500 MHz. L'appareil est inégalé et convient à une utilisation dans des applications de diffusion. Caractéristiques * Performances DVB-T OFDM typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Moy., F = 225 MHz, Bande passante de canal = 7.61 MHz, Signal d'entrée PAR = 9.3 dB @ 0.01% de probabilité sur CCDF. Gain de puissance: 25 dB Efficacité du drain: 28.5% ACPR @ 4 MHz Décalage: –61 dBc @ 4 kHz Bande passante * Performance pulsée typique: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Largeur d'impulsion = 100

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Original Nouveau MRF6VP2600H Transistor de puissance RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Latéral N-Channel Broadband

Vue d'ensemble

Le MRF6VP2600H est conçu principalement pour les applications à large bande avec des fréquences allant jusqu’à 500 MHz. L'appareil est incomparable et convient à une utilisation dans les applications de diffusion.



Fonctionnalités:

Performances DVB-T OFDM typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Moy., F = 225 MHz, Bande passante du canal = 7.61 MHz, Signal d'entrée PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilité sur CCDF. : 25 dB Efficacité du drain: 28.5% ACPR @ 4 MHz Décalage: –61 dBc @ 4 kHz Bande passante

Performances pulsées typiques: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 25.3 dB Efficacité du drain: 59%

Capable de gérer 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Puissance de crête, Durée d'impulsion = 100 µsec, Cycle d'utilisation = 20%

Caractérisé par les paramètres série d'impédance de grand signal équivalents

Capacité d'opération en CW avec refroidissement adéquat

Qualifié jusqu'à un maximum de 50 opérations VDD

Protection ESD intégrée

Conçu pour un fonctionnement push-pull

Plage de tension négative plus élevée de porte-source pour l'opération améliorée de la classe C

Conforme RoHS

En bande et bobine. Suffixe R6 = Unités 150 par bobine 56, mm 13.



Spécification

Fréquence (min) (MHz): 2

Fréquence (Max) (MHz): 500

Tension d'alimentation (type) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Puissance de sortie (Typ) (W) @ Niveau d'intermodulation au signal de test: 125.0 @ AVG

Signal de test: OFDM

Gain de puissance (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Efficacité (Typ) (%): 28.5

Résistance thermique (Spec) (/ W): 0.2

Correspondant: inégalé

Classe: AB

Technologie des matrices: LDMOS




 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
245 1 35 280 DHL

 

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