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FMUSER Original nouveau MRFE6VP6300H Transistor de puissance RF Transistor MOSFET de puissance pour émetteur FM 300 w 350 w

NXP Freescale MRFE6VP6300H Transistor RF MOFSETS

Détails

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
169 1 27 196 DHL

 


FMUSER MRFE6VP6300H Transistor MOSFET De Puissance De Transistor De Puissance de Rf For 300w 350w FM Ttransmetteur


MOSFET 1.8-600 MHz, 300 W, MOSFET de puissance RF à large bande latérale N-Channel 50 V

Vue d’ensemble

Les MRFE6VP6300HR3 et MRFE6VP6300HSR3 sont des dispositifs à haute robustesse, conçus pour les applications industrielles à VSWR élevé (y compris les excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiale et mobile / radio terrestre. Ce sont des conceptions d'entrée et de sortie inégalées permettant une large utilisation de la gamme de fréquences, entre 1.8 et 600 MHz.



Caractéristiques :
Entrée et sortie inégalées permettant l'utilisation de plages de fréquences étendues
Le périphérique peut être utilisé à une extrémité ou dans une configuration Push-Pull
Qualifié jusqu'à un maximum d'opération 50 VDD
Caractérisé de 30 V à 50 V pour une plage de puissance étendue
Convient pour une application linéaire avec un biais approprié
Protection ESD intégrée
Plage de tension négative plus élevée de porte-source pour l'opération améliorée de la classe C
Caractérisé par des paramètres d'impédance de grand signal équivalents en série
Conforme RoHS
NI-780-4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 Unités, 56 mm Largeur de bande, 13 inch Reel.
NI-780S-4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 Unités, 32 mm Largeur de bande, 13 inch Reel.
Ces produits sont inclus dans notre programme de longévité des produits avec un approvisionnement assuré pour un minimum de 15 ans après le lancement.


Le forfait comprend:

1* MRFE6VP6300H Transistor RF





 

 

Prix ​​(USD) Nbre (PCS) Frais de port (USD) Total (USD) Méthodes d'expedition Paiement
169 1 27 196 DHL

 

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