Prononcés MAWS-feht. Acronyme pour le transistor à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde. Ils sont utilisés dans de nombreux scénarios où vous voulez convertir des tensions. Sur votre carte mère par exemple pour générer CPU Voltage, Tension mémoire, AGP Voltage etc.

MOSFETs sont habituellement utilisés par paires. Si vous voyez six mosfets autour de votre socket du CPU que vous avez une alimentation triphasée.

Info technique
MOSFET sont disponibles en quatre types différents. Ils peuvent être amélioration ou en mode d'appauvrissement, et ils peuvent être à canal n ou à canal p. Pour cette application, nous sommes seulement intéressés par canal n MOSFET de mode d'enrichissement, et ceux-ci seront les seuls dont on parle désormais. Il existe également des MOSFETs de niveau logique et des transistors MOS normaux. La seule différence entre eux est le niveau de tension nécessaire sur la grille.

A la différence des transistors bipolaires qui sont essentiellement des dispositifs de courant moteur, sont des dispositifs MOSFET de puissance commandé en tension. Si aucune tension positive est appliquée entre la grille et la source du MOSFET est toujours non conducteur. Si l'on applique un UGS de tension positive à la porte, nous allons mettre en place un champ électrostatique entre elle et le reste du transistor. La tension de grille positive repousser les «trous» à l'intérieur du substrat de type p et attire les électrons mobiles dans les régions de type n sous les électrodes source et drain. Cela produit une couche juste sous la isolant de la porte par laquelle les électrons peuvent entrer et se déplacer le long de la source au drain. La tension de grille positif donc «crée» un canal dans la couche supérieure de matière entre l'oxyde et p-Si. Augmenter la valeur de la tension de grille positif repousse les trous de type p plus loin et agrandit l'épaisseur du canal créé. En conséquence, nous constatons que la taille du canal, nous avons fait augmente avec la taille de la tension de grille et améliore ou augmente la quantité de courant qui peut aller de la source à dégoulinent ceci est la raison pour laquelle ce type de transistor est appelé une amélioration dispositif de mode.

essai MOSFET

Obtenez un multimètre avec une plage de test de diode.

Branchez le compteur négatif à la source du MOSFET.
Tenez le MOSFET par le cas ou l'onglet si vous le souhaitez, il n'a pas d'importance si vous touchez le corps métallique mais attention à ne pas toucher les fils jusqu'à ce que vous devez. NE PAS laisser un MOSFET à venir en contact avec vos vêtements, produits en plastique ou en plastique, etc. en raison des tensions statiques élevées, il peut générer.
Tout d'abord toucher le compteur positif à la porte.
Maintenant, déplacez la sonde de mesure positive au drain. Vous devriez obtenir une lecture faible. porte la capacité du MOSFET a été chargée par le compteur et le dispositif est mis en marche.

Avec le compteur positif toujours connecté au drain, toucher un doigt entre la source et la porte (et vidanger si vous le souhaitez, il n'a pas d'importance). La porte sera déchargé à travers votre doigt et la lecture du compteur doit aller de haut, ce qui indique un dispositif non conducteur.

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