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FMUSER Original nouveau transistor de puissance RF haute fréquence BLF245 Transistor MOSFET haute puissance
Nouveau transistor de puissance RF haute fréquence haute fréquence BLF245 d'origine MOSFET haute puissance Transistor D-MOS vertical en mode d'amélioration du canal N en silicium conçu pour les applications d'amplification de signal de grande taille dans la gamme de fréquences VHF. Le transistor est encapsulé dans un boîtier à bride SOT4A à 123 fils, avec un capuchon en céramique. Tous les fils sont isolés de la bride. Des groupes de tension grille-source adaptée (VGS) sont disponibles sur demande. Caractéristiques et avantages: Gain de puissance élevé Faible niveau de bruit Contrôle facile de la puissance Bonne stabilité thermique Résiste à l'inadéquation à pleine charge
Détails
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 69 | 1 | 0 | 69 | Airmail |
original nouveau BLF245 Transistor MOSFET à haute fréquence de haute puissance de transistor de puissance à haute fréquence rf
| Prix (USD) | Nbre (PCS) | Frais de port (USD) | Total (USD) | Méthodes d'expedition | Paiement |
| 69 | 1 | 0 | 69 | Airmail |
